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产品分类
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询价产品信息
标题：场效应管 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY
属性：制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 2 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
通道模式: Enhancement
系列: Si2308CDS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 16 ns
正向跨导 - zui小值: 3.2 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
单位重量: 8 mg 